ITC终裁确认

英诺赛科在全球能源生态系统中的胜利：挫败专利侵权诉讼，坚持技术创新

英诺赛科，一家致力于创建基于高性能、低成本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源解决方案的全球能源生态系统企业，近日在美国国际贸易委员会（ITC）的专利侵权诉讼中取得了重大胜利。
经过长期的法律斗争，ITC的终裁决定确认了英诺赛科在全球氮化镓功率半导体领域的领导地位，以及其产品的合法性。

一、ITC终裁决定

美国国际贸易委员会（ITC）于2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受其与宜普电源转换公司（EPC）之间专利纠纷的影响。
这一决定对于英诺赛科来说是一个巨大的胜利。

二、专利纠纷背景

去年5月，EPC在ITC对英诺赛科提起专利侵权诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了EPC的US’508号专利和US’294号专利。
经过长时间的法律程序，ITC行政法官在今年7月作出的初步裁定中，认定英诺赛科没有侵犯EPC的US508号专利的权利要求1。
而最新ITC的终裁决定再次确认了这一结果，这对于英诺赛科来说无疑是一个重大的胜利。

三、对US294号专利的争议

终裁决定维持了行政法官初步裁决中认定的侵犯了US294号专利权利要求2和3的部分情形。
对此，英诺赛科表示不同意这一裁决，并将进一步提出上诉。
争议的焦点在于US294号专利本身的权利基础是否稳定。
事实上，美国专利商标局（USPTO）已经对US294号专利的所有权利要求进行了双方复审（IPR），并同意英诺赛科的无效论点。

四、英诺赛科的应对策略

尽管面临部分专利侵权的问题，但英诺赛科已经制定了明确的规避设计指导方案。
通过避免使用补偿GaN层这一技术特征，就可以实现对US294号专利的规避。
目前，英诺赛科已经完成了规避设计方案，并将很快发布规避设计后的新产品。
这一举措将确保EPC的诉讼不会对英诺赛科的客户带来不利影响。

五、全球市场份额与技术创新

按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%。
作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

六、未来展望

面对与EPC的纠纷，英诺赛科将继续通过法院上诉程序和美国专利商标局的无效程序来寻求解决。
公司对取得最终完全胜利充满信心。
同时，英诺赛科也将继续坚持技术创新，为全球能源生态系统创造更多基于高性能、低成本、硅基氮化镓的电源解决方案。

七、结语

英诺赛科在面临专利纠纷时表现出了坚定的决心和战略智慧。
通过规避设计指导方案，公司成功地应对了专利侵权的问题。
同时，公司始终坚持技术创新，在全球能源生态系统中发挥着领导作用。
我们期待英诺赛科在未来继续发挥其在全球功率半导体领域的优势，为全球能源生态系统创造更多价值。

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