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介绍闪迪高带宽闪存HBF技术
介绍闪迪高带宽闪存HBF技术

闪迪高带宽闪存HBF技术揭秘,引领AI推理GPU存储生态革新IT之家2月13日消息,存储技术巨头闪迪正迎来重大战略转型与技术创新,在即将完成从西部数据的拆分并在今年第一季度独立上市后,这家企业在存储技术前沿的探索越发引人关注,尤其是在本月11日的投资者活动上,闪迪重点介绍了其革命性的高带宽闪存HBF技术,该技术有望彻底改变AI推理GP...。

更新时间:2025-02-13 13:01:21

产业格局重塑 中国崛起引韩国关注
产业格局重塑 中国崛起引韩国关注

中国长鑫存储在DRAM领域的飞速发展,挑战全球市场份额与威胁韩国巨头地位观察者网齐倩报道近日,英国,金融时报,刊文指出,中国领先的存储芯片生产商长鑫存储在动态随机存取存储芯片,DRAM,领域取得了飞速的发展,随着其在技术领域的持续突破,长鑫存储正迅速崛起,预计会出现滚雪球式增长,迅速抢占全球市场份额,从而挑战韩国巨头三星、SK海力士在...。

更新时间:2025-02-11 13:36:26

科技巨头持续推动存储技术革新 行业迎来新一轮发展热潮
科技巨头持续推动存储技术革新 行业迎来新一轮发展热潮

三星电子迈向第五代高带宽内存HBM3E新时代,扩展供应,紧跟行业动态,密切审视竞争对手步伐XX年XX月XX日IT之家报道,根据韩联社消息,三星电子最近召开了一次业绩电话会议,带来了前沿存储技术的重大进展,会议宣布,三星电子将从今年第一季度底起向主要客户供应第五代高带宽内存HBM3E的改良品,并努力在下半年实现第六代高宽带内存HBM4的...。

更新时间:2025-02-03 04:00:31

英伟达认可三星HBM3E芯片在人工智能领域的应用
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三星电子获得英伟达高带宽存储芯片供应批准,虽获进步仍面临竞争压力IT之家2月1日消息,据彭博社报道,知情人士透露,三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片,尽管这是韩国芯片制造商的重要一步,但其在高带宽内存,HBM,技术方面仍然面临激烈的竞争,此事引发了行业内对于三星与英伟达合作进展以及高带宽存储技术发展的关注,一、三星获准...。

更新时间:2025-02-02 21:28:17

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