红旗汽车再获突破，碳化硅功率器件样件研发成功

一汽红旗成功研发首款1700V超高压碳化硅功率器件，助力解决充电焦虑与里程焦虑

IT之家讯（XX月XX日）—— 国内汽车巨头一汽红旗今日宣布取得重大技术突破，其研发总院新能源开发院功率电子开发部成功主导设计出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件。
此项创新技术为应对日益凸显的充电焦虑与里程焦虑问题，注入了强大的技术支撑和解决策略，对未来汽车行业的高速发展产生了深远影响。

一、技术突破：1700V超高压碳化硅功率器件的成功研发

随着新能源汽车行业的飞速发展，充电速度和行驶里程成为了消费者关注的重点。
一汽红旗此次研发出的1700V超高压碳化硅功率器件，为解决这一问题提供了有效的技术手段。
该器件搭载国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过严格测试，器件工作的最高母线电压可达1200V。

二、优势凸显：解决充电焦虑与里程焦虑

1. 快速充电：该功率器件的应用，使得补能系统得以向超高压平台升级，大大缩短了新能源汽车的充电时间。
车主不必再为充电等待过长时间，提高了用车的便捷性。

2. 提升续航：结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等技术，该碳化硅功率器件在超高压平台下可发挥低损耗与高电流输出综合性能优势，提升动力系统的功率密度和效率，有效降低整车电耗，从而增加车辆的续航里程。

三、技术细节：高耐压设计与优质性能

1. 高耐压封装材料：采用的高介电强度封装材料，使得器件能够承受超高的电压，保证了器件在高压环境下的稳定性和可靠性。

2. 先进的封装结构：结合高耐压封装结构技术，进一步增强了器件的耐压能力，为其在超高压平台下的稳定运行提供了保障。

3. 高效的电流输出：短沟道元胞结构设计以及高通流铜夹互联技术，使得碳化硅功率器件在超高压平台下能够实现高电流输出和低损耗，为车辆提供强劲的动力支持。

四、未来展望：商业化应用与量产时间

一汽红旗尚未公布该碳化硅功率器件的量产搭载时间。
随着技术的不断成熟和市场的需求增长，相信这一创新产品将会很快投入商业化应用。
IT之家将持续跟进后续商用进展，为广大消费者带来最新的技术资讯。

五、结语：推动新能源汽车行业发展

一汽红旗此次研发出1700V超高压碳化硅功率器件，无疑是解决新能源汽车充电焦虑与里程焦虑问题的一大突破。
该技术的成功研发，不仅提升了新能源汽车的充电速度和行驶里程，更为整个新能源汽车行业的发展注入了新的动力。
我们期待这一技术在未来的商业化应用，为新能源汽车市场的繁荣发展做出更大的贡献。

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