创意电子发布先进3nm-HBM3E内存控制器技术

IT之家讯：创意电子宣布3nm工艺hbm3E内存控制器与物理层IP广泛被业界采纳，预计将推出全新的AI芯片技术成果

XXXX年XX月XX日，知名电子产业新闻网站IT之家报道，创意电子公司（GUC）今日宣布其最新研发的3nm工艺HBM3E内存控制器与物理层（PHY）IP已经获得业界重要CSP云服务提供商和多家高性能计算（HPC）解决方案供应商的广泛采纳。
据其预计，该ASIC芯片将在今年进行流片，成功支持高达9.2Gbps的HBM3E内存数据传输速率。
该消息标志着新一代高性能芯片的重大突破，并为行业未来的发展描绘了新的蓝图。

创意电子公司是一家重要的ASIC设计服务厂商，以其卓越的技术实力和创新能力在行业内享有盛誉。
其最大股东（持股35%）和唯一的晶圆代工厂商——台积电，也是其在先进制程和封装技术领域最重要的合作伙伴。
这一紧密的合作无疑为创意电子的先进技术提供了强大的支持。

此次宣布的HBM3E内存控制器与物理层IP是创意电子公司的重要研发成果。
该IP已通过台积电多种先进工艺制程技术的验证，包括N7/N6、N5/N4P以及最新的N3E/N3P工艺。
更重要的是，这一IP与所有主流的HBM3厂商产品完全兼容，且在台积电先进的封装技术CoWoS-S及CoWoS-R上均已完成流片验证。

根据与全球知名存储器厂商美光的合作，创意电子的相关IP搭配美光的HBM3E产品，在台积电CoWoS-S与CoWoS-R平台上实现了高达9.2Gbps的内存传输速率。
这一成绩不仅展现了创意电子的强大技术实力，也证明了其在不同温度与电压条件下都能保持优异的性能表现。
这对于需要高速、稳定内存环境的AI计算领域来说，无疑是一大福音。

创意电子的首席运营官Aditya Raina表示：“我们非常高兴看到我们的HBM3E IP得到业界广泛的接受和认可。
同时，我们也正在积极与美光等HBM内存供应商合作，共同为下一代AI ASIC开发HBM4IP。
”这表明创意电子并不满足于现状，而是积极面向未来，努力研发更先进的科技产品。
其将不断努力推动半导体技术的进步，帮助全球用户更好地满足不断增长的计算需求。

值得一提的是，此次HBM3E内存控制器的成功研发和应用是创意电子公司在半导体技术领域的重大突破。
这一技术将极大地推动高性能计算和人工智能领域的发展，帮助解决大规模数据处理、云计算、机器学习等领域的挑战。
随着科技的发展，AI对于数据处理速度的需求越来越高，而HBM3E内存控制器的高速、高效特性正好满足这一需求。

创意电子的这次重大突破标志着半导体技术的新一轮进步。
其创新的HBM3E内存控制器与物理层IP不仅得到了业界的广泛认可，而且已经开始为下一代AI芯片的开发提供强大的技术支持。
我们有理由相信，未来创意电子将持续引领半导体技术的发展，为全球用户提供更先进、更高效的技术产品。
让我们共同期待创意电子在未来的表现，共同见证科技的力量！

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